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周二晚间，SK海力士在2023年闪存峰会上展示了其321层TLC NAND存储器。这种新型闪存将于2025年进入量产，但该公司已经在展示它，以表明它已经为2023年闪存峰会做好了准备。未来。
演示的存储设备具有 1Tb 容量 (128GB) 和 3D TLC 架构。SK海力士表示，与512Gb 238层3D TLC器件相比，321层存储IC的生产率提高了59%，这表明存储密度得到了切实的提高。同时，该公司没有透露其如何生产 321 层 NAND 内存，以及与上一代节点相比的大致每比特成本。
如果 SK Hynix 最低容量的 321 层 NAND 设备可以存储 128GB 的数据，那么我们有理由期待高端设备具有更大的容量，并使 SSD 的容量比我们今天的容量大得多。
SK 海力士尚未透露其如何实现 321 个有源层。虽然该公司很可能使用了串堆叠技术，将一个或多个 3D NAND 器件堆叠在一起并将它们连接起来，但问题在于它是否将两个或多个 3D NAND 器件堆叠在一起。
传统上，SK Hynix 将其多层 NAND 存储器标记为“4D NAND”，因为它使用阵列下 CMOS (CuA) 架构，将 NAND 逻辑置于 3D NAND 存储器单元阵列下方，以减小芯片尺寸和成本。与此同时，美光也采用了类似的布局，并使用了术语“3D NAND”。
说到 NAND 逻辑，值得注意的是 SK Hynix 并未分享其 321 层 NAND 内存支持的接口速度，可能是因为现在设定这些速度还为时过早，因为该公司只计划在第一时间开始量产此类闪存。 2025 年一半。
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